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英偉達(dá)，引爆了一只港股！

8月1日，港股英諾賽科股價(jià)突然放量拉升，盤中漲幅一度超過(guò)60%，市值最高突破640億港元。截至收盤，英諾賽科股價(jià)漲幅收窄至30.91%

消息面上，近日，英偉達(dá)（NVIDIA）官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，中國(guó)氮化鎵龍頭企業(yè)——英諾賽科成為其芯片供應(yīng)商。有業(yè)內(nèi)人士指出，這意味著英偉達(dá)和英諾賽科正式達(dá)成深度合作。8月1日晚間，英諾賽科證實(shí)，公司已于近日與英偉達(dá)達(dá)成合作，聯(lián)合推動(dòng)800 VDC（800伏直流）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化落地。

值得關(guān)注的是，今年5月份，美國(guó)的氮化鎵（GaN）功率芯片企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)就下一代800V高壓直流供電架構(gòu)展開(kāi)合作的消息傳開(kāi)后，股價(jià)上漲超280%。

放量大漲

8月1日盤中，港股英諾賽科直線拉升，股價(jià)最高觸及72港元/股，漲幅一度達(dá)到63.64%。截至收盤，股價(jià)上漲30.91%報(bào)57.6港元/股，總市值為515億港元。英諾賽科全天成交額超過(guò)42億港元，較前一個(gè)交易日放量超1800%。

近日，英偉達(dá)（NVIDIA）官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，英諾賽科入選為芯片供應(yīng)商，雙方將攜手推動(dòng)800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化應(yīng)用。據(jù)了解，英偉達(dá)上述項(xiàng)目的芯片供應(yīng)商還包括：ADI公司、英飛凌、MPS、納微半導(dǎo)體、安森美、瑞薩電子、羅姆半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、德州儀器。

據(jù)英偉達(dá)官網(wǎng)介紹，AI工作負(fù)載的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，正在增加數(shù)據(jù)中心的功率需求。傳統(tǒng)的54V機(jī)架內(nèi)配電專為千瓦（KW）-scale機(jī)架設(shè)計(jì)，無(wú)法支持即將進(jìn)入現(xiàn)代AI工廠的兆瓦（MW）-scale機(jī)架。從2027年開(kāi)始，英偉達(dá)將率先向800V HVDC數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施過(guò)渡，以支持1MW及以上的IT機(jī)架。英偉達(dá)正在與數(shù)據(jù)中心能源生態(tài)系統(tǒng)合作，研究實(shí)現(xiàn)這一概念所需的創(chuàng)新和變革。

8月1日晚間，英諾賽科在港交所公告稱，公司已于近日與全球AI技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者NVIDIA（英偉達(dá)）達(dá)成合作，聯(lián)合推動(dòng)800 VDC（800伏直流）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；涞?。該架構(gòu)是英偉達(dá)針對(duì)未來(lái)高效供電兆瓦級(jí)計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施而專門設(shè)計(jì)的新一代電源系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)54V電源，在系統(tǒng)效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，可支持AI算力100-1000倍的提升。

英諾賽科表示，公司的第三代GaN器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達(dá)800 VDC架構(gòu)提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。隨著GaN技術(shù)與英偉達(dá)800 VDC供電架構(gòu)的融合，未來(lái)幾年，AI數(shù)據(jù)中心將實(shí)現(xiàn)從千瓦級(jí)到兆瓦級(jí)的飛躍，開(kāi)啟更高效、更可靠、更環(huán)保的AI計(jì)算時(shí)代。

值得關(guān)注的是，當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月29日，半導(dǎo)體巨頭安森美也對(duì)外宣布，公司與英偉達(dá)達(dá)成合作，加速下一代AI數(shù)據(jù)中心向800V直流電源解決方案的過(guò)渡。據(jù)悉，這一轉(zhuǎn)型的核心是一種新型的配電系統(tǒng)，必須在每次電壓轉(zhuǎn)換中以最小損耗輸送大量電力。安森美表示，其智能電源解決方案是為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供電力供給的最關(guān)鍵一環(huán)，可在每個(gè)階段實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度的電能轉(zhuǎn)換。

此前5月21日，美國(guó)功率器件大廠納微半導(dǎo)體宣布，與英偉達(dá)就其下一代800V高壓直流供電架構(gòu)展開(kāi)合作，以支持為其GPU（例如 Rubin Ultra）供電的“Kyber”機(jī)架級(jí)系統(tǒng)。據(jù)悉，納微半導(dǎo)體的氮化鎵和碳化硅技術(shù)將在這一合作中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

受上述消息影響，5月22日，納微半導(dǎo)體的股價(jià)暴漲164%，為該公司史上最大單日漲幅。隨后兩個(gè)月，納微半導(dǎo)體的股價(jià)繼續(xù)震蕩攀升，最新股價(jià)報(bào)7.33美元/股，較合作消息披露前上漲超280%。

有何來(lái)頭？

公開(kāi)資料顯示，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。2024年12月30日，英諾賽科在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

據(jù)了解，英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應(yīng)用場(chǎng)景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項(xiàng)專利及專利申請(qǐng)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。

今年4月份，英諾賽科披露產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展稱，公司發(fā)布了自主開(kāi)發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。該款產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺(tái)，可提升車載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。經(jīng)公司客戶驗(yàn)證，該產(chǎn)品已在中大功率電源方面實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，下一步將被應(yīng)用在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

7月29日，英諾賽科披露，公司與聯(lián)合汽車電子（聯(lián)合電子）宣布成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，利用GaN技術(shù)在尺寸、重量和效率方面的優(yōu)勢(shì)，開(kāi)發(fā)先進(jìn)的新能源汽車電力電子系統(tǒng)。據(jù)介紹，得益于GaN技術(shù)相較于傳統(tǒng)硅基功率器件的優(yōu)勢(shì)，GaN功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)、人工智能及數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。與傳統(tǒng)硅相比，采用GaN的轉(zhuǎn)換器和逆變器功率損耗可降低高達(dá)10倍，顯著提升了效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)體積更小、重量更輕的優(yōu)勢(shì)，并減少二氧化碳排放。

財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2024年，英諾賽科的銷售收入為8.29億元，同比增長(zhǎng)39.8%，主要是由于市場(chǎng)需求推動(dòng)產(chǎn)品銷售額增加。其中，海外銷售收入1.26億元，同比增長(zhǎng)118.1%。2024年，公司凈利虧損10.46億元，上年同期虧損11.02億元。

校對(duì)：趙燕