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2025-09-09 21:41
近期，中國科學院半導體研究所科技成果轉化企業(yè)北京晶飛半導體科技在碳化硅晶圓加工技術領域取得重大突破，成功利用自主研發(fā)的激光剝離設備實現(xiàn)了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標志著中國在第三代半導體關鍵制造裝備領域邁出重要一步，為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的降本增效提供了全新解決方案。
晶飛半導體表示，本次技術突破對碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有多重意義，主要包括：12英寸碳化硅晶圓相比目前主流的6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單位芯片成本降低30%—40%；解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸，為全球碳化硅產(chǎn)能擴張?zhí)峁┝嗽O備保障；打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設備領域的技術壟斷，為我國半導體裝備自主可控提供了重要支撐；成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領域的應用。
據(jù)了解，碳化硅是一種由碳和硅元素組成的化合材料，其獨特的物理特性包括耐高壓、耐高頻、高熱導性、高溫穩(wěn)定性、高折射率等特點，可作為諸多行業(yè)實現(xiàn)降本增效的關鍵性材料。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體從材料到器件的全鏈條性能優(yōu)勢顯著，兼具高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫等特點，正成為未來半導體行業(yè)發(fā)展的重要方向。
碳化硅功率器件被廣泛應用于新能源汽車、充電樁、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心服務器等應用領域，其市場規(guī)?？焖贁U張。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2024年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為34.3億美元，預計2030年有望達到103.85億美元，2024—2030年的年復合增長率約20%。
隨著碳化硅技術領域的持續(xù)突破，其材料優(yōu)勢正從傳統(tǒng)功率器件領域向半導體制造核心環(huán)節(jié)延伸。東方證券研報認為，隨著英偉達GPU芯片的功率越來越大，將眾多芯片集成到硅中介層將導致更高的散熱性能要求，而如果采用導熱率更好的SiC中介層，其散熱片尺寸有望大幅縮小，優(yōu)化整體封裝尺寸?；诖?，部分頭部公司已經(jīng)注意到碳化硅在中介層中的應用潛力。此外，碳化硅也有望在散熱載板中得到應用。
據(jù)證券時報·數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計，A股中布局碳化硅產(chǎn)業(yè)的個股共有42只，9月以來概念股以回調為主，平均下跌1.34%。其中，15股9月以來逆市上漲，天岳先進、弘元綠能、德龍激光累計漲幅居前，分別達到23.38%、23.21%、17.34%。
天岳先進半年報顯示，公司自成立以來即專注于高品質碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司是全球少數(shù)能夠實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)、率先實現(xiàn)2英寸到8英寸碳化硅襯底的商業(yè)化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅襯底的公司。
碳化硅概念股普遍注重研發(fā)創(chuàng)新，半年報數(shù)據(jù)顯示，42只概念股今年上半年研發(fā)費用合計達到105.05億元，24股研發(fā)費用同比去年實現(xiàn)增長，燕東微、英唐智控、北方華創(chuàng)研發(fā)費用同比增幅居前，分別達到221.21%、111.6%、52.74%。
燕東微在半年報中披露了上半年的研發(fā)成果，碳化硅領域方面，基于6英寸SiC生產(chǎn)線，持續(xù)提升工藝技術能力，小pitch MOSFET技術驗證版完成首輪產(chǎn)品流片，確認工藝基限。公司上半年實現(xiàn)歸母凈利潤1.28億元，同比扭虧為盈。
部分碳化硅概念股獲得QFII的青睞，統(tǒng)計顯示，6股半年報前十大流通股東名單中出現(xiàn)QFII的身影，按6月30日收盤價計算，合計持股市值達到2.04億元，*ST華微、深圳華強、宇環(huán)數(shù)控獲得QFII持股市值居前，分別為0.87億元、0.47億元、0.22億元。
